Le attività di ricerca del gruppo riguardano la modellistica fisica, la simulazione numerica e la caratterizzazione di dispositivi e sensori a semiconduttore in tecnologie emergenti. In particolare, le attività sono focalizzate sullo studio di dispositivi in carbonio, semiconduttori bidimensionali, materiali ferroelettrici, semiconduttori III-V, transistori ad effetto tunnel, memorie a cambiamento di fase, dispositivi per applicazioni ad alte tensioni in silicio, GaN/AlGaN e SiC di nuova concezione. La modellistica è un aspetto essenziale per migliorare la comprensione delle proprietà fisiche dei dispositivi d’interesse, ed esplorare/ottimizzare le varie opzioni. A tal fine sono utilizzati e sviluppati dal gruppo di ricerca adeguati strumenti di simulazione. In parallelo, il gruppo si occupa anche di misure al fine di caratterizzare i dispositivi e convalidare i modelli fisici.
Settori ERC
- PE3_5 - Semiconductors and insulators: material growth, physical properties
- PE7_2 - Electrical and electronic engineering: semiconductors, components, systems
- PE7_3 - Simulation engineering and modelling
Responsabile scientifico/coordinatore: Prof. Antonio Gnudi